Mantemo-nos na vanguarda para apoiar um futuro sustentável. Os dispositivos semicondutores de potência são essenciais para melhorar a eficiência energética de inúmeras variedades de equipamentos eletrónicos, desde os sistemas de tração ferroviários e automóveis aos robôs industriais e sistemas de ar condicionado. A Mitsubishi Electric ajuda a concretizar uma sociedade com baixas emissões de carbono e a proporcionar uma vida melhor para todas as pessoas através do desenvolvimento de dispositivos semicondutores de potência.

Descrição geral

Quota elevada a nível mundial*

Os nossos dispositivos semicondutores de potência são utilizados em praticamente todos os equipamentos eletrónicos, incluindo aparelhos domésticos, de tração, automóveis e distribuição de eletricidade. Enquanto líder de quota de mercado mundial desde há muito tempo, a Mitsubishi Electric contribui significativamente para a preservação de energia e para a redução do tamanho e do peso do equipamento eletrónico.
*Em módulos de IGBT (desde de fevereiro de 2017), com base na pesquisa da Mitsubishi Electric.

Dispositivos semicondutores de potência que incorporam carboneto de silício (SiC)

Continuamos a explorar o potencial do carboneto de silício (SiC). Em dispositivos de potência, pode reduzir drasticamente a perda de potência devido às características especiais do material, aumentando significativamente a eficiência da energia dos dispositivos eletrónicos. A Mitsubishi Electric iniciou o desenvolvimento dos elementos necessários para SiC no início dos anos 90 do século XX e tem-se mantido na vanguarda da indústria a nível global ao desenvolver versões comerciais de dispositivos semicondutores de potência com SiC e produtos que incorporam estes dispositivos e ao disponibilizar dados que demonstram o respetivo desempenho de economia energética.

Produtos

Semicondutores e dispositivos

História

Década de 1950

A Mitsubishi Electric inicia a pesquisa relacionada com os dispositivos semicondutores de potência na década de 50.

1958

Desenvolvimento e comercialização do primeiro dispositivo semicondutor de potência do Japão.

Década de 1990

Desenvolvimento de novo material e produto, os semicondutores de potência com carboneto de silício (SiC), mantendo a liderança sobre as outras empresas.

2010

Instalação do primeiro dispositivo semicondutor de potência com SiC nas (nossas) unidades de ar condicionado, inédito a nível mundial.

2012

Início do envio de amostras de módulos semicondutores de potência com SiC para os mercados globais.

2015

Instalação de sistema de tração de vagão ferroviário com módulos semicondutores de potência totalmente em SiC nos comboios de alta velocidade Shinkansen do Japão.

I&D/Tecnologias

Resumo de negócios dos dispositivos de potência

Empenhados no desenvolvimento contínuo de SiC para reduzir os custos e melhorar o desempenho, disponibilizamos dispositivos essenciais e energeticamente económicos enquanto principal fabricante de dispositivos de potência a nível mundial.

Expansão da linha de DIPIPM de grandes dimensões e 1200 V da versão 6

Esta nova adição à nossa gama de produtos concretiza algo "inédito": uma classificação de potência de 75 A em DIPIPM que abrange a classificação de 40 kW dos aparelhos de ar condicionado monobloco.

Módulo de potência SiC híbrido de grande capacidade

Um inversor de tração com módulos de potência SiC híbridos de grande capacidade montado num vagão ferroviário tem demonstrado o efeito de poupança de energia em utilização comercial desde fevereiro de 2012.