PARA LANÇAMENTO IMEDIATO n.º 3094

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Mitsubishi Electric expande a linha de módulos X-Series HVIGBT

Oito novos produtos que vão ajudá-lo a aumentar a capacidade e a reduzir o tamanho dos inversores

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TÓQUIO, 5 de abril de 2017 - A Mitsubishi Electric Corporation (TÓQUIO: 6503) anunciou hoje que desenvolveu oito novos módulos X-Series HVIGBT em três (3,3 kV, 4,5 kV e 6,5 kV) classes para uma maior capacidade e inversores mais pequenos em motores de tração, transmissores de potência CC, grandes máquinas industriais e outros equipamentos de alta tensão e de corrente elevada. Os modelos serão lançados sequencialmente no início de setembro. Antes do lançamento, os modelos vão estar em exposição em várias das principais feiras comerciais, incluindo a MOTORTECH JAPAN 2017 em Chiba, Japão, de 19 a 21 de abril, a Power Conversion and Intelligent Motion (PCIM) Europe 2017, em Nuremberga, Alemanha, de 16 a 18 de maio, e a PCIM Asia 2017, em Xangai, China, de 27 a 29 de junho.

Módulo X-Series HVIGBT

Os módulos de alta potência são essenciais para sistemas de energia que requerem uma capacidade e fiabilidade elevadas, bem como uma eficiência máxima. O primeiro módulo HVIGBT da Mitsubishi Electric, comercializado em 1997, permitiu o desenvolvimento de sistemas de conversor de alta tensão mais pequenos e com maior capacidade. O módulo X-Series HVIGBT (6,5 kV/1000 A), que inclui um transístor bipolar de porta isolada (IGBT) de sétima geração e um chip de díodo RFC (Relaxed Field of Cathode), foi lançado para sistemas de inversor em novembro de 2015.

Funcionalidades do produto

1)
A vasta gama de novos IGBT de alta tensão inclui as principais classificações de capacidade de potência da indústria, contribuindo para a maior capacidade dos inversores
- Três módulos de 3,3 kV (um modelo de 1200 A e dois de 1800 A), três módulos de 4,5 kV (modelos de 900 A, 1350 A e de 1500 A) e dois módulos de 6,5 kV (modelos de 600 A e de 900 A)
- Dois módulos que oferecem as principais classificações de capacidade de potência da indústria - 1800 A no módulo de 3,3 kV e 1500 A no módulo de 4,5 kV, juntam-se a outro líder, o já existente módulo de 6,5 kV (classificação de 1000 A)
2)
IGBT de sétima geração e chip de díodo RFC para inversores mais pequenos
- O chip CSTBT*™ de sétima geração e o chip de díodo RFC reduzem a perda de potência em cerca de 20%**
- A dimensão reduzida do novo conjunto de chip, cerca de 33% mais pequena do que o anterior (mesma classificação de tensão e de corrente), levará a inversores mais pequenos
-A temperatura de funcionamento de 150 graus Celsius permite um sistema de arrefecimento simplificado, o que permite inversores mais pequenos e melhora o grau de liberdade no design

* Construção do chip IGBT proprietário da Mitsubishi Electric, que incorpora o efeito "carrier-storage"
** CM1200HC-66X da X-Series comparado com o CM1200HC-66H da H-Series
3)
Estrutura otimizada para inversores de elevada fiabilidade
-O novo esquema interno da estrutura atinge um tempo de vida mais longo, através da dissipação de calor, da resistência à humidade e do retardamento de chamas

Calendário de vendas

Modelo Tensão do
coletor-
emissor		 Corrente
nominal
máxima		 Tensão de
isolamento		 Dimensões
(L×P×A)		 Envio
CM1200HC-66X 3,3 kV 1200 A 6 kV rms 140 mm×130 mm×38 mm A partir de
setembro
de 2017
CM1800HC-66X 1800 A 6 kV rms 140 mm×190 mm×38 mm
CM1800HG-66X 1800 A 10 kV rms 140 mm×190 mm×48 mm
CM900HG-90X 4,5 kV 900 A 10 kV rms 140 mm×130 mm×48 mm
CM1350HG-90X 1350 A 10 kV rms 140 mm×190 mm×48 mm
CM1500HC-90XA 1500 A 6 kV rms 140 mm×190 mm×38 mm
CM600HG-130X 6,5 kV 600 A 10 kV rms 140 mm×130 mm×48 mm
CM900HG-130X 900 A 10 kV rms 140 mm×190 mm×48 mm

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