TÓQUIO, 22 de setembro de 2017 - A Mitsubishi Electric Corporation (TÓQUIO: 6503) anunciou o desenvolvimento de um dispositivo de potência de carboneto de silício (SiC) com o que se acredita ser a maior eficiência energética do mundo* num dispositivo deste tipo. A unidade recém-desenvolvida foi concebida para ser instalada em módulos de potência e não necessita de um circuito de proteção de alta velocidade para interromper a alimentação quando é detetado o excesso de corrente. O novo dispositivo irá ajudar a melhorar a fiabilidade e a eficiência energética de equipamentos eletrónicos usados numa vasta gama de aplicações, tais como eletrodomésticos, maquinaria industrial e exploração ferroviária.

*De acordo com a pesquisa da Mitsubishi Electric, até à data deste comunicado, o novo dispositivo SiC teve a classificação de eficiência de potência mais elevada do mundo de qualquer dispositivo de potência de classe 1200 V, com um tempo de curto-circuito superior a 8 μs.

O novo dispositivo SiC desenvolvido pela Mitsubishi Electric foi primeiramente revelado na Conferência Internacional sobre Carboneto de Silício e Materiais Relacionados de 2017 (ICSCRM 2017), realizada em Washington D.C., de 17 a 22 de setembro de 2017.

A fiabilidade e eficiência superiores do novo dispositivo são resultado de uma nova estrutura de origem exclusiva. A área de fonte é composta por uma única região, em transístores de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico (MOSFET) convencionais. No entanto, a Mitsubishi Electric introduziu uma região adicional na área de fonte para controlar a fonte das séries da resistência do SiC-MOSFET (consulte a fig. 1). Adotar esta estrutura reduz a incidência de fluxos de corrente excessiva causados por curto-circuitos. Como resultado, no tempo de curto-circuito geral utilizado para dispositivos semicondutores de potência Si, a resistência em condução do SiC-MOSFET é reduzida em 40% à temperatura ambiente, e perda de potência é reduzida em mais de 20% (consulte a fig. 2), em comparação com os dispositivos SiC-MOSFET convencionais.**

**O termo "resistência em condução" refere-se a um dos valores de características de um dispositivo semicondutor de potência e é indicado como um produto da área do dispositivo e respetiva resistência. O valor da resistência em condução decresce à medida que o tamanho ou a resistência de um dispositivo é reduzido. O valor de 40% foi obtido através da comparação da resistência em condução do novo dispositivo com a dos nossos SiC-MOSFET de 1200 V convencionais.

O design simplificado do circuito permite que a tecnologia seja aplicada em todos os SiC-MOSFET, com várias tensões nominais. É utilizada tecnologia do circuito testada e comprovada para proteger os componentes em silicone de danos em caso de curto-circuitos e pode ser aplicada aos SiC-MOSFET existentes, sem a necessidade de modificação. Isto garante uma fácil implementação de uma funcionalidade protetiva em equipamentos eletrónicos utilizando os SiC-MOSFET.